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Si基GaN功率器件的發展態勢分析

編輯:admin 2014-06-25 14:52:59 瀏覽:1362  來源:

  2013年9月5日,首屆“第三代半導體材料及應用發展國際研討會”在深圳成功召開,來自中科院半導體研究所、南京大學、北京大學、科銳公司、西安電子科技大學等研究機構以及企業的近百名人士參加了此次會議。

  蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千先生在會上做了以《si基GaN功率器件的發展態勢分析》為題的報告,通過詳細講解氮化鎵(GaN)的優勢、硅(si)基氮化鎵的產品優勢、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)電力電子器件的關系、

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