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　　隨(sui)著信息(xi)及電(dian)(dian)(dian)子發展的(de)速度(du)使得(de)觸(chu)控(kong)(kong)式(shi)顯示(shi)面(mian)(mian)板(ban)(ban)的(de)應用越來越普遍，目(mu)(mu)前觸(chu)控(kong)(kong)式(shi)面(mian)(mian)板(ban)(ban)在全球已(yi)開始(shi)自成一(yi)項(xiang)產業，作為一(yi)項(xiang)先進(jin)的(de)計算機輸(shu)入設(she)備，它是目(mu)(mu)前最簡單、方便(bian)、自然(ran)的(de)而且又適用于多媒體(ti)信息(xi)查詢裝備，觸(chu)控(kong)(kong)面(mian)(mian)板(ban)(ban)具有堅固耐用、反應速度(du)快(kuai)、節(jie)省空(kong)間、易于交流等許多優點(dian)。依目(mu)(mu)前觸(chu)控(kong)(kong)式(shi)面(mian)(mian)板(ban)(ban)的(de)工作原理和(he)傳輸(shu)信息(xi)的(de)介質，可將其(qi)分為：電(dian)(dian)(dian)阻式(shi)、電(dian)(dian)(dian)容式(shi)、紅外線(xian)式(shi)及表(biao)面(mian)(mian)聲波(bo)式(shi)，其(qi)中以電(dian)(dian)(dian)阻式(shi)觸(chu)控(kong)(kong)面(mian)(mian)板(ban)(ban)為市場(chang)主(zhu)流，其(qi)市場(chang)規模約占(zhan)整體(ti)觸(chu)控(kong)(kong)面(mian)(mian)板(ban)(ban)市場(chang)之59%，電(dian)(dian)(dian)容式(shi)為次之，約占(zhan)22%。而電(dian)(dian)(dian)阻式(shi)與電(dian)(dian)(dian)容式(shi)的(de)觸(chu)控(kong)(kong)面(mian)(mian)板(ban)(ban)皆需要有透明(ming)導電(dian)(dian)(dian)膜層（TCO）來產生觸(chu)控(kong)(kong)動(dong)作的(de)電(dian)(dian)(dian)場(chang)感(gan)應，大(da)部份(fen)的(de)透明(ming)導電(dian)(dian)(dian)膜材料以氧化銦(yin)錫（ITO）為主(zhu)。

　　ITO是所有透(tou)(tou)(tou)明(ming)導電(dian)(dian)膜(mo)(mo)（TCO）中(zhong)，其導電(dian)(dian)性與透(tou)(tou)(tou)光率(lv)表現最為優良的(de)氧(yang)化膜(mo)(mo)，而應(ying)用(yong)在觸控(kong)面(mian)(mian)板(ban)的(de)透(tou)(tou)(tou)明(ming)導電(dian)(dian)膜(mo)(mo)層(ceng)除(chu)了(le)需(xu)具備(bei)高穿透(tou)(tou)(tou)以(yi)(yi)及良好的(de)電(dian)(dian)阻(zu)率(lv)，另外需(xu)要(yao)均勻(yun)的(de)電(dian)(dian)阻(zu)分布(bu)以(yi)(yi)偵測精準的(de)觸控(kong)位置，以(yi)(yi)及可長期使用(yong)的(de)高穩定電(dian)(dian)性，以(yi)(yi)因(yin)應(ying)觸控(kong)面(mian)(mian)板(ban)的(de)廣(guang)泛應(ying)用(yong)，其中(zhong)以(yi)(yi)航天軍(jun)用(yong)、工業(ye)與車用(yong)等應(ying)用(yong)端的(de)環境測試標(biao)準更是比信息產(chan)業(ye)所使用(yong)的(de)面(mian)(mian)板(ban)來得嚴(yan)格許多，所以(yi)(yi)ITO薄膜(mo)(mo)的(de)環境測試能力是此應(ying)用(yong)上重要(yao)的(de)考(kao)量因(yin)素。應(ying)用(yong)在觸控(kong)面(mian)(mian)板(ban)的(de)ITO的(de)面(mian)(mian)電(dian)(dian)阻(zu)較高（常見的(de)面(mian)(mian)阻(zu)抗(kang)約300~1000
），為了(le)達到要(yao)求(qiu)的(de)高面(mian)(mian)電(dian)(dian)阻(zu)，透(tou)(tou)(tou)明(ming)導電(dian)(dian)膜(mo)(mo)的(de)膜(mo)(mo)厚(hou)需(xu)要(yao)變得很薄，超薄的(de)膜(mo)(mo)厚(hou)會(hui)產(chan)生許多問題，包括電(dian)(dian)性的(de)不(bu)穩定、面(mian)(mian)阻(zu)抗(kang)的(de)不(bu)均勻(yun)、環境測試能力變差。

　　本論(lun)文即要(yao)探討ITO膜(mo)厚(hou)對(dui)于這(zhe)些特性的(de)相對(dui)關系，并考量面電阻、穿透率、環(huan)境測試與生產(chan)成本，以(yi)評估最佳的(de)ITO薄膜(mo)厚(hou)度，并且透過(guo)優(you)化(hua)DC磁控(kong)濺鍍的(de)制程(cheng)參數(shu)以(yi)符合觸(chu)控(kong)面板的(de)透明導電膜(mo)之要(yao)求(qiu)，此乃本論(lun)文研(yan)究(jiu)方(fang)向(xiang)。