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　　在2016中國(guo)平(ping)板顯示(shi)(shi)學術(shu)大會的新(xin)型(xing)顯示(shi)(shi)及(ji)觸控技(ji)術(shu)的分(fen)論(lun)壇(tan)上，武漢華星光(guang)電技(ji)術(shu)有(you)限公司程艷帶(dai)來了題(ti)為《微晶粒發(fa)光(guang)二級體技(ji)術(shu)現狀與未來展望》的演講，以下為演講文字實錄：

　　上(shang)午熊(xiong)貓平板顯(xian)示崔老(lao)師已經做了一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)詳細的(de)(de)(de)(de)(de)(de)介(jie)紹(shao)，我(wo)(wo)這(zhe)(zhe)邊做一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)補充。Micro LED技術：LED微(wei)縮化和(he)(he)矩陣化技術，在(zai)(zai)(zai)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)晶(jing)片上(shang)集(ji)成的(de)(de)(de)(de)(de)(de)高密度微(wei)小(xiao)尺寸的(de)(de)(de)(de)(de)(de)LED陣列(lie)。我(wo)(wo)們(men)主(zhu)(zhu)要(yao)講第三種的(de)(de)(de)(de)(de)(de)形(xing)勢，我(wo)(wo)們(men)比(bi)較(jiao)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)下(xia)Micro LED有(you)快的(de)(de)(de)(de)(de)(de)速度和(he)(he)對比(bi)對，當然它(ta)(ta)(ta)也在(zai)(zai)(zai)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)些OLED上(shang)有(you)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)些很好的(de)(de)(de)(de)(de)(de)優勢，我(wo)(wo)這(zhe)(zhe)里面(mian)(mian)沒有(you)列(lie)出(chu)(chu)來的(de)(de)(de)(de)(de)(de)是壽命(ming)，OLED在(zai)(zai)(zai)亮度上(shang)面(mian)(mian)已經努(nu)力的(de)(de)(de)(de)(de)(de)突破，想要(yao)達到(dao)液晶(jing)OLED的(de)(de)(de)(de)(de)(de)狀(zhuang)態，是Micro LED確實超越(yue)了OLED。Micro LED都(dou)可以作為主(zhu)(zhu)動式的(de)(de)(de)(de)(de)(de)發放來進(jin)行，上(shang)頁(ye)PPT里的(de)(de)(de)(de)(de)(de)第三項技術，主(zhu)(zhu)要(yao)有(you)兩大(da)(da)類，第一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)類其實是在(zai)(zai)(zai)LED在(zai)(zai)(zai)微(wei)縮的(de)(de)(de)(de)(de)(de)過(guo)程(cheng)當中(zhong)(zhong)，直(zhi)接(jie)(jie)有(you)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)隔絕層，直(zhi)接(jie)(jie)完成TFT的(de)(de)(de)(de)(de)(de)工(gong)藝(yi)，這(zhe)(zhe)個(ge)(ge)(ge)(ge)目前僅僅處(chu)于一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)（POP）階(jie)段。Micro LED的(de)(de)(de)(de)(de)(de)優點(dian)，它(ta)(ta)(ta)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)響應(ying)速度快，主(zhu)(zhu)要(yao)是跟它(ta)(ta)(ta)表(biao)面(mian)(mian)這(zhe)(zhe)樣(yang)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)效(xiao)率(lv)有(you)關，我(wo)(wo)們(men)看一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)下(xia)右邊的(de)(de)(de)(de)(de)(de)圖片，它(ta)(ta)(ta)是來自于APL的(de)(de)(de)(de)(de)(de)集(ji)團(tuan)，這(zhe)(zhe)個(ge)(ge)(ge)(ge)集(ji)團(tuan)里有(you)報(bao)道過(guo)，LED的(de)(de)(de)(de)(de)(de)尺寸越(yue)小(xiao)用(yong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)時(shi)間越(yue)小(xiao)。和(he)(he)大(da)(da)尺寸LED相(xiang)比(bi)，越(yue)小(xiao)越(yue)接(jie)(jie)近(jin)于系統的(de)(de)(de)(de)(de)(de)時(shi)間，還有(you)B和(he)(he)C的(de)(de)(de)(de)(de)(de)兩個(ge)(ge)(ge)(ge)優勢，都(dou)是在(zai)(zai)(zai)是它(ta)(ta)(ta)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)光(guang)(guang)(guang)效(xiao)，這(zhe)(zhe)兩個(ge)(ge)(ge)(ge)方(fang)面(mian)(mian)都(dou)是它(ta)(ta)(ta)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)優勢，我(wo)(wo)們(men)來看一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)下(xia)第二項，這(zhe)(zhe)樣(yang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)結果(guo)主(zhu)(zhu)要(yao)是它(ta)(ta)(ta)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)路徑導(dao)致的(de)(de)(de)(de)(de)(de)。最(zui)后(hou)主(zhu)(zhu)要(yao)是它(ta)(ta)(ta)集(ji)中(zhong)(zhong)在(zai)(zai)(zai)更穩(wen)定的(de)(de)(de)(de)(de)(de)集(ji)中(zhong)(zhong)性，一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)方(fang)面(mian)(mian)是它(ta)(ta)(ta)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)溫度，這(zhe)(zhe)樣(yang)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)小(xiao)尺寸，它(ta)(ta)(ta)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)（結溫）就(jiu)更小(xiao)。最(zui)后(hou)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)項數據可以看出(chu)(chu)，300和(he)(he)40相(xiang)比(bi)，300是有(you)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)遷移，40主(zhu)(zhu)要(yao)是10納米的(de)(de)(de)(de)(de)(de)遷移。唯一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)(ge)(ge)缺點(dian)就(jiu)是目前來看它(ta)(ta)(ta)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)轉化效(xiao)率(lv)比(bi)較(jiao)小(xiao)，光(guang)(guang)(guang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)輻射比(bi)電(dian)(dian)功(gong)率(lv)×電(dian)(dian)子注入，跟電(dian)(dian)阻有(you)關。

　　Micro LED 的(de)核(he)心技術是nm級LED的(de)轉運與full color實現(xian)，而不是制作LED這(zhe)個技術本身。

　　晶(jing)格(ge)匹配(pei)：LED 元件---藍寶石(shi)類的基板上通過MBE生長；顯示器---必(bi)須(xu)要把LED發光(guang)元件轉移到玻璃基板上；

　　尺(chi)寸等級：藍寶石基板尺(chi)寸---硅(gui)晶(jing)元的(de)尺(chi)寸，制作顯示器---尺(chi)寸大得多的(de)玻璃基板；

　　多(duo)(duo)次轉運：微元件的多(duo)(duo)次轉運技術難度(du)高(gao)，在追求高(gao)精(jing)度(du)顯示器的產(chan)品上難度(du)更大。

　　通(tong)過(guo)此前蘋果收購Luxvue 后公布(bu)的(de)獲取專利名單看出，大多采用電學方式完成(cheng)轉運過(guo)程，這是Luxvue 的(de)關鍵核心(xin)技術(shu)。

　　Micro LED技術比較：

　　制程(cheng)(cheng)方(fang)式：均屬于微(wei)轉印制程(cheng)(cheng)（micro-Transfer），差別(bie)主要在于轉印部件設(she)計方(fang)式的不同，進而所運用的制程(cheng)(cheng)原理亦略微(wei)有些差異；

　　制程(cheng)難點：目前Wafer工藝與TFT工藝已屬成熟(shu)，該制程(cheng)的難點集(ji)中在轉移過程(cheng)，尺寸越小，pixel就越小，需轉移LED越小，技(ji)術難點越大；

　　我們這(zhe)種(zhong)三色除了LED，還有其(qi)(qi)他的(de)(de)(de)(de)兩種(zhong)，也是(shi)(shi)有一(yi)定難度的(de)(de)(de)(de)，熒(ying)光(guang)粉(fen)技術屬(shu)于(yu)無(wu)機(ji)鹽類的(de)(de)(de)(de)晶體(ti)，傳統就是(shi)(shi)LED所(suo)用(yong)到(dao)的(de)(de)(de)(de)，這(zhe)種(zhong)它的(de)(de)(de)(de)顆(ke)粒(li)相較(jiao)于(yu)傳統的(de)(de)(de)(de)熒(ying)光(guang)粉(fen)會更小。這(zhe)種(zhong)納米(mi)級(ji)的(de)(de)(de)(de)熒(ying)光(guang)粉(fen)，其(qi)(qi)中和尺(chi)寸上(shang)(shang)面還有一(yi)個相對比(bi)(bi)的(de)(de)(de)(de)，光(guang)電轉化(hua)效(xiao)率(lv)是(shi)(shi)比(bi)(bi)較(jiao)高的(de)(de)(de)(de)，在這(zhe)里主(zhu)要用(yong)的(de)(de)(de)(de)廣質發(fa)光(guang)。最后一(yi)項是(shi)(shi)有機(ji)的(de)(de)(de)(de)發(fa)光(guang)體(ti)，主(zhu)要是(shi)(shi)跟上(shang)(shang)面相比(bi)(bi)較(jiao)，也是(shi)(shi)存在一(yi)些發(fa)光(guang)效(xiao)率(lv)和優(you)勢，這(zhe)幾(ji)種(zhong)相比(bi)(bi)較(jiao)，目前市(shi)面上(shang)(shang)做比(bi)(bi)較(jiao)多工(gong)作是(shi)(shi)有在量子點上(shang)(shang)面做一(yi)些工(gong)作。

　　Micro LED的成功發展歸根結底在于以下方面：

　　1、蘋(pin)果、三(san)星等品牌廠的意愿；

　　2、在制程上，要克服晶片轉運技術門檻(jian)，一(yi)次搬運數百萬顆超小(xiao)LED晶片；

　　3、全彩化、良率、發光波長一致性問題？

　　單色(se)Micro LED 陣(zhen)列通過倒(dao)裝(zhuang)結構封裝(zhuang)和驅動IC 貼合就可以(yi)實現，而RGB 陣(zhen)列需(xu)要(yao)分(fen)次轉貼紅、藍、綠三色(se)的chip，需(xu)要(yao)嵌入幾百(bai)萬顆LED chip,對于LED chip光效、波長的一致性、良率要(yao)求(qiu)更高。

　　4、分(fen)bin和成百上千(qian)萬的(de)u-LED的(de)成本支出(chu)也是阻礙(ai)量產的(de)技(ji)術瓶頸。

　　以上是我的一個淺顯的分析。